實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)大電流密度，有助于實(shí)現(xiàn)逆變器的大功率·率
開(kāi)始發(fā)售“X系列LV100封裝HVIGBT模塊”

三菱電機(jī)株式會(huì)社將從9月開(kāi)始、依次發(fā)售2款“X系列LV100封裝HVIGBT※1模塊”，作為面向電氣化鐵路、電力等大型工業(yè)機(jī)器的大容量功率半導(dǎo)體模塊的新產(chǎn)品。該模塊實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)大電流密度※2今后，計(jì)劃還將使用性能超過(guò)Si（硅片）更具低損耗化與高頻動(dòng)作可能性的SiC※3制成LV100封裝產(chǎn)品，以充實(shí)產(chǎn)品陣容，有助于實(shí)現(xiàn)逆變器的輸出功率和效率；并且采用全新封裝結(jié)構(gòu)，利于并聯(lián)應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)靈活配置，并提高系統(tǒng)可靠性。
本產(chǎn)品將在 “PCIM Europe 2017”（5月16-18日于德國(guó)紐倫堡舉行）以及“PCIM Asia 2017”（6月27-29日于中國(guó)上海舉行）上展出。
※1　High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高壓絕緣柵型雙極晶體管
※2　截至2017年5月11日，根據(jù)本公司的調(diào)查
※3　Silicon Carbide：碳化硅

X系列LV100封裝HVIGBT模塊

新產(chǎn)品的特點(diǎn)

1．實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)大的電流密度，有助于實(shí)現(xiàn)逆變器的大功率和率
?采用三菱電機(jī)CSTBTTM※４結(jié)構(gòu)的第7代IGBT和RFC二極管※５硅片技術(shù)，作為Si模塊實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)大※2的電流密度，高達(dá)8.57A/cm2＜3.3kV/600A＞
?AC輸出主端子增加至3個(gè)，分散輸出電流，緩解主端子的發(fā)熱狀況，實(shí)現(xiàn)在大電流工況下可靠運(yùn)行。
※4　載流子存儲(chǔ)式溝槽柵型雙極晶體管
※5　Relaxed Field of Cathode Diode：本公司二極管，提高了陰極側(cè)電子遷移率
2．便于并聯(lián)應(yīng)用，有效支持各個(gè)功率段的逆變器
?通過(guò)優(yōu)化端子布局，方便并聯(lián)應(yīng)用，有效支持各個(gè)功率段的逆變器
3．通過(guò)全新封裝結(jié)構(gòu)，有助于實(shí)現(xiàn)逆變器系統(tǒng)的高度可靠性
?通過(guò)絕緣板與散熱板的一體化設(shè)計(jì)，改善熱循環(huán)壽命※6與功率半導(dǎo)體芯片的散熱性，由此實(shí)現(xiàn)功率循環(huán)壽命※7的提高，并有助于實(shí)現(xiàn)高度可靠性
※6　因相對(duì)較長(zhǎng)時(shí)間的溫度循環(huán)令外殼溫度發(fā)生變化時(shí)的壽命
※7　因相對(duì)較短時(shí)間的溫度循環(huán)令芯片溫度發(fā)生變化時(shí)的壽命


面向大型工業(yè)設(shè)備的功率半導(dǎo)體模塊，主要用于鐵路列車的的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、電力傳輸系統(tǒng)和大型工業(yè)機(jī)械使用的變流器。近年來(lái)，公眾在節(jié)能環(huán)保等方面的意識(shí)日益增強(qiáng)，因此有助于逆變器實(shí)現(xiàn)更高功率、更率、更高可靠性及能支持各種逆變器的輸出容量的各類產(chǎn)品需求強(qiáng)勁。
本公司此次為響應(yīng)此類需求，將上市實(shí)現(xiàn)電流高密度化并采用全新封裝結(jié)構(gòu)的“X系列LV100封裝HVIGBT模塊”的2款新產(chǎn)品（3.3kV/450A?600A）。此外，預(yù)定今后還將推出使用SiC制造的LV100封裝產(chǎn)品，以充實(shí)產(chǎn)品陣容。

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